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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥20.86524
10
¥19.684187
100
¥18.569991
500
¥17.518855
1000
¥16.527224
ON Semiconductor NB3N200SDR2G
- 收藏
- 对比
NB3N200SDR2G
1807-NB3N200SDR2G
时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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IC CLK BUFFER 1:1 200MHZ 8SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NB3N200SDR2G详情
ON Semiconductor NB3N200SDR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Frequency(Max)
200MHz
Number of Elements
1
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
类型
Buffer/Driver
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3.3V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
NB3N200
输出量
LVCMOS, LVDS
引脚数量
8
资历状况
不合格
工作电源电压
3.3V
电源电流
22mA
功率耗散
725mW
传播延迟
2.4 ns
接通延迟时间
6 ns
数据率
200 Mbps
无卤素
无卤素
输入
LVCMOS, LVDS
比率-输入:输出
1:1
差分 - 输入:输出
Yes/Yes
驱动程序位数
1
接收器位数
1
摆动量-最小
2 V
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NB3N200SDR2G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








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