NCV5707BDR2G
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ON Semiconductor NCV5707BDR2G

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型号

NCV5707BDR2G

utmel 编号

1807-NCV5707BDR2G

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT and MOSFET 6.8A/7.8A 1-Output High/Low Side Non-Inverting 8-Pin SOIC T/R

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NCV5707BDR2G
NCV5707BDR2G ON Semiconductor IGBT and MOSFET 6.8A/7.8A 1-Output High/Low Side Non-Inverting 8-Pin SOIC T/R

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NCV5707BDR2G详情

ON Semiconductor NCV5707BDR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    Axial

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    2500

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Manufacturer

    onsemi

  • Brand

    onsemi

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    活跃

  • Logic voltage-VIL, VIH

    0.75V, 4.3V

  • Driver Configuration

    High-Side and Low-Side

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C

  • 系列

    PTF

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 尺寸/尺寸

    0.145 Dia x 0.375 L (3.68mm x 9.53mm)

  • 容差

    ±1%

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±5ppm/°C

  • 电阻

    200 Ohms

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.25W, 1/4W

  • 子类别

    PMIC - Power Management ICs

  • 电压 - 供电

    7V ~ 20V

  • 失败率

    --

  • 输入类型

    Inverting

  • 产品类别

    隔离栅极驱动器

  • 上升/下降时间(Typ)

    9.2ns, 7.9ns

  • 信道型

    Single

  • 驱动器数量

    1

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    7.8A, 6.8A

  • 特征

    Moisture Resistant

  • 产品类别

    隔离栅极驱动器

  • 座位高度(最大)

    --

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技术文档: ON Semiconductor NCV5707BDR2G.

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