ON Semiconductor NCP5106BDR2G
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NCP5106BDR2G
1807-NCP5106BDR2G
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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NCP5106BDR2G; Dual MOSFET Power Driver; 0.5A Half Bridge; 10 to 20V; ; 8-Pin SOIC
--最小包装量--
NCP5106BDR2G详情
ON Semiconductor NCP5106BDR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.3V
操作温度
-40°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
电源电压
15V
基本部件号
NCP5106
引脚数量
8
输出电压
700mV
最大输出电流
500mA
电源
15V
电源电流
5mA
最大电源电流
5mA
传播延迟
170 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
170 ns
无卤素
无卤素
上升时间
160ns
下降时间(典型值)
75 ns
上升/下降时间(Typ)
85ns 35ns
信道型
Independent
驱动器数量
2
接通时间
0.17 µs
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
250mA 500mA
关断时间
0.17 µs
内置保护器
UNDER VOLTAGE
高压侧电压-最大值(自举)
600V
输出电流流向
水槽
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NCP5106BDR2G拓展信息
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