ON Semiconductor NCV8440STT1G

生命周期状态

CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 4 days ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.69W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 2.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.9V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

155pF @ 35V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

59V

Vgs（最大值）

±15V

连续放电电流(ID)

2.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.95Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10A

DS 击穿电压-最小值

52V

雪崩能量等级（Eas）

110 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅