ON Semiconductor NDB6030L

安装类型

面板安装

表面安装

YES

越来越多的功能

Bulkhead - Front Side Nut

触点形状

Circular

外壳材料

Aluminum

插入材料

-

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

TV07DZ

Contact Sizes

20

厂商

Amphenol Aerospace Operations

Product Status

活跃

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

45 ns

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

NDB6030L

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

52 A

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV

连接器类型

插座外壳

类型

用于公引脚

定位的数量

10

端子表面处理

未说明

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

逻辑电平兼容

紧固类型

Threaded

触点类型

Crimp

端子位置

SINGLE

方向

N (Normal)

终端形式

鸥翼

屏蔽/屏蔽

Unshielded

入口保护

抗环境干扰

Reach合规守则

unknown

外壳完成

锌 镍

外壳尺寸-插入

13-98

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

房屋颜色

Black

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

不包括触点

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75 W

外壳尺寸，MIL

-

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

130 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

52 A

包括

-

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

16 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0135 Ω

漏源击穿电压

30 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

156 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

13.5 mΩ

特征

-

材料可燃性等级

-