'ndb6060l'
2结果- 所有品牌
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 电阻 | 附加功能 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 技术 | 终端形式 | 额定电流 | JESD-30代码 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 产品类别 | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏源击穿电压 | 双电源电压 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管特性 | 栅源电压 | 产品类别 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||
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NDB6060L. | Fairchild | 数据表 | 1190 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263) | Glenair | Glenair | 1 | 活跃 | 100W (Tc) | Fairchild Semiconductor | 5V, 10V | 48A (Tc) | Bulk | 2V @ 250µA | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Circular Connectors | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 20mOhm @ 24A, 10V | 2000 pF @ 25 V | 60 nC @ 5 V | 60 V | ±16V | Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories | - | Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDB6060L | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 3 | 1.31247g | SILICON | 48A Tc | 100W Tc | 49 ns | 1 | 5V 10V | 2V @ 250μA | -65°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | SMD/SMT | EAR99 | 25mOhm | 逻辑电平兼容 | 60V | 鸥翼 | 48A | R-PSSO-G2 | Single | 增强型MOSFET | 100W | DRAIN | 15 ns | N-Channel | SWITCHING | 20m Ω @ 24A, 10V | 2000pF @ 25V | 60nC @ 5V | 320ns | ±16V | 161 ns | 48A | 2V | 16V | 60V | 60V | 200 mJ | 2 V | 6.35mm | 6.35mm | 6.35mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 |



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