ON Semiconductor NDBA180N10BT4H

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

180A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V 15V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200W Tc

Turn Off Delay Time

185 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

95 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8m Ω @ 50A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6950pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

95nC @ 10V

上升时间

320ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

130 ns

连续放电电流(ID)

180A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

600A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

451 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅