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'ndd01n601g'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

JESD-30代码

元素配置

操作模式

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

Rds On(Max)@Id,Vgs

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

雪崩能量等级（Eas）

辐射硬化

RoHS状态

无铅

NDD01N60-1G

ON Semiconductor

52388 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NO

4

SILICON

16.5 ns

46W Tc

1

10V

1.5A Tc

3.7V @ 50μA

-55°C~150°C TJ

Tube

2013

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

3

EAR99

Tin (Sn)

R-PSIP-T3

Single

增强型MOSFET

DRAIN

8 ns

N-Channel

8.5 Ω @ 200mA, 10V

无卤素

160pF @ 25V

7.2nC @ 10V

5.1ns

±30V

21.3 ns

1.5A

30V

600V

6A

13 mJ

无

符合RoHS标准

无铅

NDD01N60-1G

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

I-PAK

1.5A Tc

10V

46W Tc

3.7V @ 50μA

-55°C~150°C TJ

Tube

Obsolete

3 (168 Hours)

N-Channel

8.5Ohm @ 200mA, 10V

160pF @ 25V

7.2nC @ 10V

600V

±30V

ROHS3 Compliant