ON Semiconductor NDD05N50ZT4G

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

4

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 50μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.5Ohm

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 2.2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18.5nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

4.7A

阈值电压

4.5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

DS 击穿电压-最小值

500V

栅源电压

4.5 V

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅