ON Semiconductor NDD60N550U1-1G
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NDD60N550U1-1G
1807-NDD60N550U1-1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO
--最小包装量--
NDD60N550U1-1G详情
ON Semiconductor NDD60N550U1-1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
94W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
540pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
8.2A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8.5A
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NDD60N550U1-1G拓展信息
ON Semiconductor
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