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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 质量 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | Vgs（最大值） | 下降时间（典型值） | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 高度 | 长度 | 宽度 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NDDP010N25AZ-1H | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 Weeks | 通孔 | 通孔 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 3 | 3.949996g | SILICON | 1 | 1W Ta 52W Tc | 44 ns | 10A Ta | 10V | 4.5V @ 1mA | -55°C~150°C TJ | Tube | 2010 | e6 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 未说明 | 未说明 | 1 | Single | 增强型MOSFET | DRAIN | 18 ns | N-Channel | SWITCHING | 420m Ω @ 5A, 10V | 980pF @ 20V | 16nC @ 10V | 26ns | ±30V | 31 ns | 10A | 4.5V | 30V | 0.42Ohm | 250V | 7mm | 6.5mm | 2.3mm | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||
 | NDDP010N25AZT4H | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | SILICON | 10A Ta | 10V | 1 | 1W Ta 52W Tc | 44 ns | 4.5V @ 1mA | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2014 | e6 | yes | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | 1 (Unlimited) | 2 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | SINGLE | 鸥翼 | R-PSSO-G2 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 1 | 增强型MOSFET | DRAIN | 18 ns | N-Channel | SWITCHING | 420m Ω @ 5A, 10V | 980pF @ 20V | 16nC @ 10V | 26ns | ±30V | 31 ns | 10A | 30V | 0.42Ohm | 250V | not_compliant | ROHS3 Compliant | 无铅 |
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