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1

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10

￥2.035266
100

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500

￥1.811377
1000

￥1.708849

ON Semiconductor NDDP010N25AZ-1H

Name: NDDP010N25AZ-1H
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NDDP010N25AZ-1H
Price: 2.16 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NDDP010N25AZ-1H

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NDDP010N25AZ-1H

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR NDDP010N25AZ-1H MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 250 V, 0.32 ohm, 10 V, 4.5 V

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NDDP010N25AZ-1H ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR NDDP010N25AZ-1H MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 250 V, 0.32 ohm, 10 V, 4.5 V

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ON Semiconductor NDDP010N25AZ-1H重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数

3
质量

3.949996g
晶体管元件材料

SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Number of Elements

1
Power Dissipation (Max)

1W Ta 52W Tc
Turn Off Delay Time

44 ns
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tube
已出版

2010
JESD-609代码

e6
无铅代码

yes
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
通道数量

1
元素配置

Single
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
接通延迟时间

18 ns
场效应管类型

N-Channel
晶体管应用

SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs

420m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

980pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V
上升时间

26ns
Vgs（最大值）

±30V
下降时间（典型值）

31 ns
连续放电电流(ID)

10A
阈值电压

4.5V
栅极至源极电压(Vgs)

30V
漏极-源极导通最大电阻

0.42Ohm
漏源击穿电压

250V
高度

7mm
长度

6.5mm
宽度

2.3mm
达到SVHC

无SVHC
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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NDDP010N25AZ-1H拓展信息

热销零件