ON Semiconductor NDF06N62ZG

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

31W Tc

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.2Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

31W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

923pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

上升时间

19ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

6A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

620V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

高度

16.12mm

长度

10.63mm

宽度

4.9mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅