ON Semiconductor NDP06N60ZG
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NDP06N60ZG
1807-NDP06N60ZG
无类别的
4-SMD, No Lead
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HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
1最小包装量--
NDP06N60ZG详情
ON Semiconductor NDP06N60ZG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 221A-09
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NDP06N60ZG
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.84
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
7.1 A
操作温度
-20°C ~ 70°C
系列
XPRESSO™ FXO-HC73
包装
Strip
尺寸/尺寸
0.295 L x 0.205 W (7.50mm x 5.20mm)
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
电压 - 供电
3.3V
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
180MHz
频率稳定性
±20ppm
输出量
HCMOS
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
55mA
资历状况
不合格
电流 - 电源(禁用)(最大值)
--
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
1.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
113 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
评级结果
--
NDP06N60ZG拓展信息







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