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'ndp6030'

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category.单MOSFET晶体管 (6)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	安装类型	包装/外壳	供应商器件包装					厂商						Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id		操作温度	包装	已出版	系列	尺寸/尺寸	容差	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	类型	最高工作温度	最小工作温度	电容量	技术	ESR（等效串联电阻）	失败率	引线间距	元素配置	功率耗散	制造商的尺寸代码	场效应管类型	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	漏源击穿电压	场效应管特性	漏源电阻	特征	座位高度(最大)	达到SVHC	RoHS状态
		NDP6030	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	Axial	100V	--				--	-55°C ~ 125°C	Bulk		Military, MIL-PRF-39003/1, CSR13	0.135 Dia x 0.286 L (3.43mm x 7.26mm)	±10%	活跃	--	密封			0.33µF		--	R (0.01%)	--			A													Military	--
		NDP6030L	Fairchild Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			Non-Compliant	45 ns														175 °C	-65 °C						Single	75 W						130 ns			52 A	16 V	30 V		37 mΩ
		NDP6030PL	Fairchild Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-220-3	TO-220-3	Fairchild Semiconductor	Tube	30A (Tc)	4.5V, 10V	75W (Tc)	2V @ 250µA	Obsolete	-65°C ~ 175°C (TJ)			-									MOSFET (Metal Oxide)							P-Channel	25mOhm @ 19A, 10V	1570 pF @ 15 V	36 nC @ 5 V		30 V	±16V				-
		NDP6030PL	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-220-3	30A Tc	4.5V 10V			2V @ 250μA	75W Tc	-65°C~175°C TJ	Tube	2013				Obsolete	1 (Unlimited)												P-Channel	25m Ω @ 19A, 10V	1570pF @ 15V	36nC @ 5V		30V	±16V								compliant
		NDP6030PL	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-220-3	TO-220-3	30A Tc		4.5V 10V	2V @ 250μA	75W Tc	-65°C~175°C TJ	Tube					Obsolete	1 (Unlimited)												P-Channel	25mOhm @ 19A, 10V	1.57pF @ 15V	36nC @ 5V		30V	±16V									ROHS3 Compliant
		NDP6030PL-VB	VBsemi Elec	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			true	Tube-packed