参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
Through Hole, Right Angle
表面安装
NO
触点形状
Square
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
--
Mated Stacking Heights
--
Contact Materials
Brass
Contact Finish Mating
Gold
Insulation Materials
Polyester, Glass Filled
Contact Length-Mating
0.181 (4.60mm)
Package Description
TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NDP7052
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.8
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
75 A
操作温度
--
系列
Military, MIL-DTL-55302, 1001 Box
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
终端
Solder
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Header
定位的数量
134
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
General Purpose, Military
行数
2
紧固类型
--
子类别
FET 通用电源
触点类型
公母针
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
入口保护
--
绝缘高度
0.330 (8.38mm)
样式
板对板或电缆
已加载定位数量
All
Reach合规守则
unknown
额定电流
--
间距 - 配套
0.100 (2.54mm)
绝缘颜色
Blue
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
行间距-交配
0.100 (2.54mm)
触点长度 - 柱子
0.135 (3.43mm)
护罩,护罩
Shrouded - 3 Wall
触点表面处理 - 柱子
Tin-Lead
接触总长度
--
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75 A
漏极-源极导通最大电阻
0.01 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
225 A
DS 击穿电压-最小值
50 V
雪崩能量等级(Eas)
550 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
150 W
特征
Mating Guide, Mounting Flange
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
触点表面处理厚度 - 柱子
--
材料可燃性等级
--