ON Semiconductor NDS356P
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NDS356P
1807-NDS356P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
1最小包装量--
NDS356P详情
ON Semiconductor NDS356P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
56 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
-20V
额定电流
-1.1A
元素配置
Single
功率耗散
500mW
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
210m Ω @ 1.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
180pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5nC @ 5V
上升时间
17ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
17 ns
连续放电电流(ID)
1.1A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NDS356P拓展信息
ON Semiconductor
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