ON Semiconductor NDT01N60T1G

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

400mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Tc

Turn Off Delay Time

16.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5 Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 50μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

160pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.2nC @ 10V

上升时间

5.1ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

21.3 ns

连续放电电流(ID)

400mA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅