ON Semiconductor NDT3055

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

质量

188mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta

Turn Off Delay Time

37 ns

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

100mOhm

电压 - 额定直流

60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

3.7A

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

4A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

25A

双电源电压

60V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

3 V

高度

1.8mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅