ON Semiconductor NDT452AP

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1997

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

65mOhm

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-5A

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

电流

5A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

690pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

5A

阈值电压

-1.6V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

双电源电压

30V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

1.6 V

高度

1.8mm

宽度

6.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅