ON Semiconductor NE521DR2G
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NE521DR2G
1807-NE521DR2G
线性 - 比较器
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC COMPARATOR DUAL DIFF 14-SOIC
--最小包装量--
NE521DR2G详情
ON Semiconductor NE521DR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
14
Number of Elements
2
操作温度
0°C~70°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
14
ECCN 代码
EAR99
类型
Differential
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1.04W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
2
电源电压
5V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NE521
引脚数量
14
输出类型
TTL
电源电流
35mA
功率耗散
1.04W
输出电流
20mA
最大电源电流
35mA
传播延迟
12 ns
静态电流
35mA
回应时间
9.6 ns
电压 - 电源,单/双路(±)
±4.75V~5.25V
无卤素
无卤素
每个通道的输出电流
20mA
输入失调电压(Vos)
7.5mV
负电源电压(Vsup)
-5V
平均偏置电流-最大值 (IIB)
40μA
电源电压限制-最大值
7V
最大输入电流
20μA
双电源电压
5V
输入偏置电流
20μA
最大负电源电压(Vsup)
-7V
电压 - 输入断态 (最小值)
7.5mV @ ±4.75V
最大输入偏正电流
20μA @ ±5.25V
长度
8.65mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NE521DR2G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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