ON Semiconductor NE5532DR2G
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NE5532DR2G
1807-NE5532DR2G
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
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IC OPAMP GP 10MHZ 16SOIC
--最小包装量--
NE5532DR2G详情
ON Semiconductor NE5532DR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
表面安装
YES
引脚数
16
操作温度
0°C~70°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
16
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
包装方式
TAPE AND REEL
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
功能数量
2
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NE5532
引脚数量
16
工作电源电压
20V
电源
+-15V
通道数量
2
工作电源电流
8mA
电源电流
8mA
功率耗散
1.2W
输出电流
38mA
压摆率
9V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
通用型
共模拒绝率
70 dB
输入偏正电流
200nA
电压 - 电源,单/双路(±)
±3V~20V
无卤素
无卤素
每个通道的输出电流
38mA
输入失调电压(Vos)
4mV
负电源电压(Vsup)
-15V
统一增益 BW-(标准值)
10000 kHz
电压增益
100dB
平均偏置电流-最大值 (IIB)
1μA
电源抑制比
100dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
电压 - 输入断态
500μV
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.8μA
标称增益带宽积
10MHz
高度
2.4mm
长度
10.45mm
宽度
7.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NE5532DR2G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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