ON Semiconductor NID9N05CLT4G

生命周期状态

CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 3 days ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

2.5 μs

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

90MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

防静电

电压 - 额定直流

52V

最大功率耗散

28.8W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

9A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NID9N05CL

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

输出的数量

1

输出类型

N-Channel

最大输出电流

9A

界面

On/Off

元素配置

Single

输出配置

低侧

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

28.8W

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

不需要

箱体转运

DRAIN

输入类型

Non-Inverting

开关类型

Relay, Solenoid Driver

箝位电压

59V

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

500ns

漏源电压 (Vdss)

52V

下降时间（典型值）

1.8 μs

连续放电电流(ID)

9A

阈值电压

1.75V

比率-输入：输出

1:1

栅极至源极电压(Vgs)

15V

电压-负荷

52V Max

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

故障保护

过电压

漏源击穿电压

52V

双电源电压

52V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Rds On(Typ)

90m Ω

漏源电阻

90mOhm

栅源电压

1.75 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅