ON Semiconductor NIF62514T1G
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NIF62514T1G
1807-NIF62514T1G
PMIC - 配电开关,负载驱动器
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH HD 6A 40V SOT223
--最小包装量--
NIF62514T1G详情
ON Semiconductor NIF62514T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 4 days ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
Turn Off Delay Time
32 μs
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HDPlus™
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
90MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
8.93W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
2.3mm
额定电流
6A
基本部件号
NIF62514
引脚数量
4
输出的数量
1
输出类型
N-Channel
最大输出电流
6A
界面
On/Off
输出配置
低侧
功率耗散
8.93W
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
不需要
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
4 μs
开关类型
通用型
箝位电压
40V
上升时间
11μs
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
27 μs
连续放电电流(ID)
6A
阈值电压
1.7V
比率-输入:输出
1:1
栅极至源极电压(Vgs)
16V
电压-负荷
42V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
漏源击穿电压
40V
双电源电压
40V
Rds On(Typ)
90m Ω
漏源电阻
90mOhm
内置保护器
OVER CURRENT; THERMAL; TRANSIENT
栅源电压
1.7 V
特征
Auto Restart, Slew Rate Controlled
高度
1.57mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NIF62514T1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








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