ON Semiconductor NIF9N05CLT1

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.69W Ta

Turn Off Delay Time

1.54 μs

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

52V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

2.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.69W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 2.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 35V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7nC @ 4.5V

上升时间

290ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

290 ns

连续放电电流(ID)

2.6A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏极-源极导通最大电阻

0.125Ohm

漏源击穿电压

52V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10A

雪崩能量等级（Eas）

110 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅