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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.432123
10
¥7.954833
100
¥7.504562
500
¥7.07978
1000
¥6.679032
ON Semiconductor NIMD6001NR2G
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- 对比
NIMD6001NR2G
1807-NIMD6001NR2G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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MOSFET Driver 60 V, 3.3 A 130 mOhm Dual N-Channel with Diagnostic Output, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NIMD6001NR2G详情
ON Semiconductor NIMD6001NR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
8
Manufacturer Lifecycle Status
CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
15 µs
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
SOP,
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
751-07
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Part Number
NIMD6001NR2G
Turn-on Time
8 µs
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Part Life Cycle Code
接触制造商
Turn-off Time
28 µs
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.7
Part Package Code
SOIC
包装
Tape & Reel
系列
*
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8542.39.00.01
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
2
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
Brand Name
安森美半导体
接通延迟时间
1.7 µs
座位高度-最大
1.75 mm
上升时间
3.9 µs
连续放电电流(ID)
3.3 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
接口IC类型
基于缓冲器或反相器的外设驱动器
信道型
N
内置保护器
TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
输出电流流向
SINK
宽度
3.9 mm
长度
4.9 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
NIMD6001NR2G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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