NIMD6001NR2G
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ON Semiconductor NIMD6001NR2G

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型号

NIMD6001NR2G

utmel 编号

1807-NIMD6001NR2G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

MOSFET Driver 60 V, 3.3 A 130 mOhm Dual N-Channel with Diagnostic Output, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL

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NIMD6001NR2G
NIMD6001NR2G ON Semiconductor MOSFET Driver 60 V, 3.3 A 130 mOhm Dual N-Channel with Diagnostic Output, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL

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NIMD6001NR2G详情

ON Semiconductor NIMD6001NR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • 终端数量

    8

  • Manufacturer Lifecycle Status

    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 2 years ago)

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    15 µs

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SOP,

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    751-07

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Manufacturer Part Number

    NIMD6001NR2G

  • Turn-on Time

    8 µs

  • Package Code

    SOP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Turn-off Time

    28 µs

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.7

  • Part Package Code

    SOIC

  • 包装

    Tape & Reel

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    2

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 接通延迟时间

    1.7 µs

  • 座位高度-最大

    1.75 mm

  • 上升时间

    3.9 µs

  • 连续放电电流(ID)

    3.3 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 接口IC类型

    基于缓冲器或反相器的外设驱动器

  • 信道型

    N

  • 内置保护器

    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE

  • 输出电流流向

    SINK

  • 宽度

    3.9 mm

  • 长度

    4.9 mm

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor NIMD6001NR2G.

NIMD6001NR2G拓展信息

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