ON Semiconductor NLAS3699MN1R2G
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NLAS3699MN1R2G
1807-NLAS3699MN1R2G
接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
16-VFQFN Exposed Pad
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IC SWITCH DUAL DPDT 16QFN
--最小包装量--
NLAS3699MN1R2G详情
ON Semiconductor NLAS3699MN1R2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-VFQFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
16
Turn Off Delay Time
30 ns
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
16
电阻
700mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
2
电源电压
2.5V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NLAS3699
引脚数量
16
输出的数量
8
工作电源电压
3V
通道数量
2
电路数量
2
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
1.65V
工作电源电流
2μA
最大电源电流
1μA
接通延迟时间
50 ns
输入数量
4
无卤素
无卤素
电源类型
Single
-3db 带宽
20MHz
通态电阻(最大值)
550mOhm
多路复用器/解复用器电路
2:2
断态隔离-标称
62 dB
最大漏电流(IS(off))
500nA
通道电容(CS和CD:开关在断开时的源极和漏极电容)
7pF
通态电阻匹配标称
0.06Ohm
开关电路
DPDT
开关时间(Ton, Toff)(最大)
50ns, 50ns
电荷注入
50pC
通道间匹配度 (ΔRon)
50m Ω
开关量
BREAK-BEFORE-MAKE
开启时间-最大值
60ns
电压 - 电源,单路(V±)
1.65V~4.5V
长度
3mm
座位高度(最大)
1mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NLAS3699MN1R2G拓展信息
ON Semiconductor
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