ON Semiconductor NSB1706DMW5T1G
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NSB1706DMW5T1G
1807-NSB1706DMW5T1G
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
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ON SEMICONDUCTOR - NSB1706DMW5T1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/4.7KOHM, SOT353, FULL REEL
--最小包装量--
NSB1706DMW5T1G详情
ON Semiconductor NSB1706DMW5T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
表面安装
YES
引脚数
5
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Number of Elements
2
hFEMin
80
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
250mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NSB1706
引脚数量
5
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN
配置
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
187mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
电阻基(R1)
4.7k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSB1706DMW5T1G拓展信息
ON Semiconductor
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