ON Semiconductor NSB9435T1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-223 (TO-261)

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

Base Product Number

NSB943

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

CASE 318E-04, 4 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318E-04

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

110 MHz

Manufacturer Part Number

NSB9435T1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.42

Part Package Code

TO-261AA

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

内置偏置电阻

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

3 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

125 @ 800mA, 1V

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-261AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

210mV @ 20mA, 800mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

110 MHz

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

90

电阻基(R1)

10 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

30 V