ON Semiconductor NSBA115TDP6T5G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-963

表面安装

YES

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

160

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

内置偏置电阻

最大功率耗散

408mW

终端形式

FLAT

基本部件号

NSBA1*

引脚数量

6

极性

PNP

元素配置

Dual

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 5mA, 10mA

电阻基(R1)

100k Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅