NSBA123JDXV6T5
NSBA123JDXV6T5

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ON SEMICONDUCTOR NSBA123JDXV6T5

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型号

NSBA123JDXV6T5

utmel 编号

1807-NSBA123JDXV6T5

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP

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NSBA123JDXV6T5
NSBA123JDXV6T5 ON SEMICONDUCTOR Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP

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NSBA123JDXV6T5详情

ON SEMICONDUCTOR NSBA123JDXV6T5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    6

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F6

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.5W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1A

  • 最小直流增益(hFE)

    80

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: ON SEMICONDUCTOR NSBA123JDXV6T5.

NSBA123JDXV6T5拓展信息

MUN5215DW1T1G
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ON Semiconductor

EMC5DXV5T1G
EMC5DXV5T1G

ON Semiconductor

MUN5232DW1T1G
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ON Semiconductor

MUN5333DW1T1G
MUN5333DW1T1G

ON Semiconductor

MUN5114DW1T1G
MUN5114DW1T1G

ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G
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ON Semiconductor

MUN5233DW1T1G
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ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T1G
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MUN5314DW1T1G
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ON Semiconductor

EMD4DXV6T1G
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ON Semiconductor

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