ON SEMICONDUCTOR NSBA123JDXV6T5

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

最大耗散功率(Abs)

0.5W

集电极电流-最大值(IC)

0.1A

最小直流增益（hFE）

80

集电极-发射器电压-最大值

50V

RoHS状态

符合RoHS标准