ON Semiconductor NSBC114TDXV6T1

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-563

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

160

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

内置偏置电阻

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Dual

功率耗散

357mW

晶体管应用

SWITCHING

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）

160

连续集电极电流

100mA

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅