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1

￥1.752088
10

￥1.652913
100

￥1.559352
500

￥1.471087
1000

￥1.387817

ON Semiconductor NSM4002MR6T1G

Name: NSM4002MR6T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSM4002MR6T1G
Price: 1.75 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSM4002MR6T1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSM4002MR6T1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

SC-74, SOT-457

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR NSM4002MR6T1GBipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 500 W, 500 mA, 40, SC-74

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NSM4002MR6T1G ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR NSM4002MR6T1GBipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 500 W, 500 mA, 40, SC-74

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ON Semiconductor NSM4002MR6T1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间

8 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-74, SOT-457
引脚数

6
Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V
Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV
Current-Collector (Ic) (Max)

200mA 500mA
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2012
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

500mW
极性

NPN
元素配置

Dual
增益带宽积

100MHz
晶体管类型

2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

45V
最大集电极电流

500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V / 250 @ 100mA 1V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

40V 45V
最大击穿电压

45V
频率转换

300MHz 100MHz
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
连续集电极电流

500mA
高度

1mm
长度

3.1mm
宽度

1.7mm
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSM4002MR6T1G拓展信息

热销零件