ON Semiconductor NSS60101DMTTBG
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NSS60101DMTTBG
1807-NSS60101DMTTBG
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-WDFN Exposed Pad
大陆
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Trans GP BJT NPN 60V 1A 6-Pin WDFN T/R
1最小包装量--
NSS60101DMTTBG详情
ON Semiconductor NSS60101DMTTBG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
2.27W
功率 - 最大
2.27W
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
180mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
180mV @ 100mA, 1A
频率转换
180MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSS60101DMTTBG拓展信息
ON Semiconductor
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