NSS60101DMTTBG
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ON Semiconductor NSS60101DMTTBG

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型号

NSS60101DMTTBG

utmel 编号

1807-NSS60101DMTTBG

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

6-WDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 60V 1A 6-Pin WDFN T/R

起订量

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NSS60101DMTTBG
NSS60101DMTTBG ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 60V 1A 6-Pin WDFN T/R

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NSS60101DMTTBG详情

ON Semiconductor NSS60101DMTTBG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-WDFN Exposed Pad

  • 引脚数

    6

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    60V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2015

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    2.27W

  • 功率 - 最大

    2.27W

  • 晶体管类型

    2 NPN (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    180mV

  • 最大集电极电流

    1A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    120 @ 500mA 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    180mV @ 100mA, 1A

  • 频率转换

    180MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor NSS60101DMTTBG.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NSS60101DMTTBG相似的参数规格。

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NSS60101DMTTBG拓展信息

MBT3906DW1T1G
MBT3906DW1T1G

ON Semiconductor

BC856BDW1T1G
BC856BDW1T1G

ON Semiconductor

BC847BPDW1T1G
BC847BPDW1T1G

ON Semiconductor

BC846BDW1T1G
BC846BDW1T1G

ON Semiconductor

MC1413BDR2G
MC1413BDR2G

ON Semiconductor

BC847BDW1T3G
BC847BDW1T3G

ON Semiconductor

MMPQ2907A
MMPQ2907A

ON Semiconductor

BC847CDW1T1G
BC847CDW1T1G

ON Semiconductor

NST3946DXV6T1G
NST3946DXV6T1G

ON Semiconductor

BC857CDW1T1G
BC857CDW1T1G

ON Semiconductor

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