ON Semiconductor NSV60101DMR6T1G

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Silver (Ag)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

530mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

2 NPN (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz