ON Semiconductor NSV60101DMTWTBG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

2.27W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2.27W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

180mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

180mV @ 100mA, 1A

转换频率

180MHz

频率转换

180MHz

VCEsat-最大值

0.2 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅