ON Semiconductor NSVB143TPDXV6T1G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

160

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

内置偏置电阻

最大功率耗散

357mW

终端形式

FLAT

引脚数量

6

参考标准

AEC-Q101

元素配置

Dual

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA

电阻基(R1)

4.7k Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅