ON Semiconductor NSVBC114YPDXV65G
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NSVBC114YPDXV65G
1807-NSVBC114YPDXV65G
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
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TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
1最小包装量--
NSVBC114YPDXV65G详情
ON Semiconductor NSVBC114YPDXV65G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
500mW
额定电流
100mA
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
电阻基(R1)
10k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NSVBC114YPDXV65G拓展信息
ON Semiconductor
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