ON Semiconductor NSVBC123JDXV6T5G
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NSVBC123JDXV6T5G
1807-NSVBC123JDXV6T5G
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
4-SMD, No Lead
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Transistor Digital BJT Dual NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R
1最小包装量--
NSVBC123JDXV6T5G详情
ON Semiconductor NSVBC123JDXV6T5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
供应商器件包装
SOT-563
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
8000
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi
RoHS
Details
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
STC32K
包装
Reel
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
类型
TCXO
子类别
Transistors
电压 - 供电
3.3V
频率
12.8 MHz
频率稳定性
±1.5ppm
输出量
削波正弦波
功能
-
基本谐振器
Crystal
最大电流源
2mA
电流 - 电源(禁用)(最大值)
-
扩频带宽
-
功率 - 最大
500mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
-
绝对牵引范围 (APR)
-
电阻基(R1)
2.2kOhms
电阻-发射极基极(R2)
47kOhms
产品类别
Bipolar Transistors - Pre-Biased
座位高度(最大)
0.047 (1.20mm)
评级结果
-
NSVBC123JDXV6T5G拓展信息
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