NSVBC123JDXV6T5G
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ON Semiconductor NSVBC123JDXV6T5G

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型号

NSVBC123JDXV6T5G

utmel 编号

1807-NSVBC123JDXV6T5G

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor Digital BJT Dual NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

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NSVBC123JDXV6T5G
NSVBC123JDXV6T5G ON Semiconductor Transistor Digital BJT Dual NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

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NSVBC123JDXV6T5G详情

ON Semiconductor NSVBC123JDXV6T5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 供应商器件包装

    SOT-563

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Suntsu Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    8000

  • Manufacturer

    onsemi

  • Brand

    onsemi

  • RoHS

    Details

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    STC32K

  • 包装

    Reel

  • 尺寸/尺寸

    0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

  • 类型

    TCXO

  • 子类别

    Transistors

  • 电压 - 供电

    3.3V

  • 频率

    12.8 MHz

  • 频率稳定性

    ±1.5ppm

  • 输出量

    削波正弦波

  • 功能

    -

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    2mA

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    -

  • 扩频带宽

    -

  • 功率 - 最大

    500mW

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

  • 晶体管类型

    2 NPN - Pre-Biased (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 5mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 1mA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 频率转换

    -

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 电阻基(R1)

    2.2kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47kOhms

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - Pre-Biased

  • 座位高度(最大)

    0.047 (1.20mm)

  • 评级结果

    -

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor NSVBC123JDXV6T5G.

NSVBC123JDXV6T5G拓展信息

MUN5215DW1T1G
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EMC5DXV5T1G
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MUN5232DW1T1G
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MUN5333DW1T1G
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MUN5114DW1T1G
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