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内地含税价

1

￥1.080823
10

￥1.019642
100

￥0.961931
500

￥0.907478
1000

￥0.856112

ON Semiconductor NSVBC124EDXV6T1G

Name: NSVBC124EDXV6T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVBC124EDXV6T1G
Price: 1.08 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVBC124EDXV6T1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVBC124EDXV6T1G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

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NSVBC124EDXV6T1G ON Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

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NSVBC124EDXV6T1G详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor NSVBC124EDXV6T1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间

17 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-563, SOT-666
引脚数

6
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2012
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

500mW
引脚数量

6
功率 - 最大

500mW
晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

250mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 5mA 10V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA
电阻基(R1)

22k Ω
电阻-发射极基极(R2)

22k Ω
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSVBC124EDXV6T1G拓展信息

热销零件