NSVBC143JPDXV6T5G
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ON Semiconductor NSVBC143JPDXV6T5G

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型号

NSVBC143JPDXV6T5G

utmel 编号

1807-NSVBC143JPDXV6T5G

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

100-TQFP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

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NSVBC143JPDXV6T5G
NSVBC143JPDXV6T5G ON Semiconductor Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

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NSVBC143JPDXV6T5G详情

ON Semiconductor NSVBC143JPDXV6T5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    100-TQFP

  • 供应商器件包装

    100-VQFP (14x14)

  • Number of I/Os

    77

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    XC4005XL

  • 厂商

    AMD

  • Product Status

    Obsolete

  • Transistor Polarity

    Complementary

  • Qualification

    AEC-Q101

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    8000

  • Manufacturer

    onsemi

  • Brand

    onsemi

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 操作温度

    0°C ~ 85°C (TJ)

  • 系列

    XC4000E/X

  • 包装

    Reel

  • 子类别

    Transistors

  • 电压 - 供电

    3V ~ 3.6V

  • 功率耗散

    500

  • 功率 - 最大

    357mW

  • 逻辑元件/单元数

    466

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

  • 晶体管类型

    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 5mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 300µA, 10mA

  • 总 RAM 位数

    6272

  • 阀门数量

    5000

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • LABs数量/ CLBs数量

    196

  • 频率转换

    -

  • 电阻基(R1)

    2.2kOhms, 47kOhms

  • 连续集电极电流

    100

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47kOhms

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - Pre-Biased

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技术文档: ON Semiconductor NSVBC143JPDXV6T5G.

NSVBC143JPDXV6T5G拓展信息

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