ON Semiconductor NSVBT2222ADW1T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

150mW

终端形式

鸥翼

引脚数量

6

参考标准

AEC-Q101

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

150mW

无卤素

无卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

转换频率

300MHz

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

关断时间-最大值（toff)

285ns

接通时间-最大值(ton)

35ns

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅