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价格梯度

内地含税价

1

￥3.742891
10

￥3.531033
100

￥3.331159
500

￥3.142602
1000

￥2.964723

ON Semiconductor NSVEMD4DXV6T5G

Name: NSVEMD4DXV6T5G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVEMD4DXV6T5G
Price: 3.74 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVEMD4DXV6T5G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVEMD4DXV6T5G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563

起订量

--最小包装量--

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NSVEMD4DXV6T5G ON Semiconductor TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563

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NSVEMD4DXV6T5G详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor NSVEMD4DXV6T5G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间

17 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-563, SOT-666
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2005
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

500mW
功率 - 最大

500mW
晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

250mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA
电阻基(R1)

47k Ω, 10k Ω
电阻-发射极基极(R2)

47k Ω
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSVEMD4DXV6T5G拓展信息

热销零件