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1

￥3.344435
10

￥3.155127
100

￥2.976534
500

￥2.808053
1000

￥2.649105

ON Semiconductor NSVEMX1DXV6T1G

Name: NSVEMX1DXV6T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVEMX1DXV6T1G
Price: 3.34 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVEMX1DXV6T1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVEMX1DXV6T1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

起订量

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NSVEMX1DXV6T1G ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

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ON Semiconductor NSVEMX1DXV6T1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间

17 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-563, SOT-666
引脚数

6
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
hFEMin

120
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2005
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

500mW
引脚数量

6
极性

NPN
功率 - 最大

500mW
晶体管类型

2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 6V
最大集极截止电流

500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA
频率转换

180MHz
集电极基极电压(VCBO)

60V
发射极基极电压 (VEBO)

7V
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSVEMX1DXV6T1G拓展信息

热销零件