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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.012412
10
¥0.955109
100
¥0.90104
500
¥0.850041
1000
¥0.801925
ON Semiconductor NSVMBT3904DW1T3G
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- 对比
NSVMBT3904DW1T3G
1807-NSVMBT3904DW1T3G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSVMBT3904DW1T3G详情
ON Semiconductor NSVMBT3904DW1T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
150mW
功率 - 最大
150mW
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA
频率转换
300MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSVMBT3904DW1T3G拓展信息
ON Semiconductor
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