NSVMMUN2130LT1G
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ON Semiconductor NSVMMUN2130LT1G

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型号

NSVMMUN2130LT1G

utmel 编号

1807-NSVMMUN2130LT1G

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

0805 (2012 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

起订量

1最小包装量--

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NSVMMUN2130LT1G
NSVMMUN2130LT1G ON Semiconductor Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

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NSVMMUN2130LT1G详情

ON Semiconductor NSVMMUN2130LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    43 Weeks, 1 Day

  • 包装/外壳

    0805 (2012 Metric)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    0805

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Product Status

    活跃

  • 厂商

    KOA Speer Electronics, Inc.

  • Package Description

    SOT-23, 3 PIN

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    318-08

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NSVMMUN2130LT1G

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.76

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    SG73G

  • 尺寸/尺寸

    0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

  • 容差

    ±0.5%

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±50ppm/°C

  • 电阻

    3.4 kOhms

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 组成

    厚膜

  • 功率(瓦特)

    0.5W, 1/2W

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 失败率

    -

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • JEDEC-95代码

    TO-236

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.4 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    3

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

  • VCEsat-最大值

    0.25 V

  • 特征

    Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding

  • 座位高度(最大)

    0.024 (0.60mm)

  • 评级结果

    -

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技术文档: ON Semiconductor NSVMMUN2130LT1G.

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