ON Semiconductor NSVMMUN2130LT1G
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NSVMMUN2130LT1G
1807-NSVMMUN2130LT1G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
0805 (2012 Metric)
大陆
立即发货

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
1最小包装量--
NSVMMUN2130LT1G详情
ON Semiconductor NSVMMUN2130LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
43 Weeks, 1 Day
包装/外壳
0805 (2012 Metric)
表面安装
YES
供应商器件包装
0805
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Package Description
SOT-23, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
318-08
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NSVMMUN2130LT1G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.76
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
SG73G
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
容差
±0.5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
终止次数
2
温度系数
±50ppm/°C
电阻
3.4 kOhms
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.5W, 1/2W
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
Brand Name
安森美半导体
失败率
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-236
最大耗散功率(Abs)
0.4 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
3
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.25 V
特征
Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding
座位高度(最大)
0.024 (0.60mm)
评级结果
-
NSVMMUN2130LT1G拓展信息
ON Semiconductor
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