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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.142439
10
¥1.077769
100
¥1.016768
500
¥0.959216
1000
¥0.904917
ON Semiconductor NSVMMUN2136LT1G
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- 对比
NSVMMUN2136LT1G
1807-NSVMMUN2136LT1G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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TRANS PNP BIPOLAR SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSVMMUN2136LT1G详情
ON Semiconductor NSVMMUN2136LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
Reach合规守则
compliant
功率 - 最大
246mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻基(R1)
100 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
100 k Ω
NSVMMUN2136LT1G拓展信息
ON Semiconductor
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